近期业界人士在午餐会议上谈到，AI芯片市场的竞争如同鱿鱼游戏，相当激烈，有时也很黑暗，但最终供应链的每个环节都会出现大赢家。

随着生成式AI商机起飞，高带宽内存（HBM）供不应求，韩内存大厂SK海力士（SK hynix）暴赚一波，11月27日宣布反馈股东大放送，未来三年将大方加码派息，与股东互惠共荣、创造更大价值。

根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能 ...

近日，韩国存储芯片巨头SK海力士（SK Hynix）宣布，将固定年度股息由每股1200韩元提高至1500韩元，涨幅高达25%。这一决策不仅反映出公司对未来现金流的信心，也为投资者提供了更加丰厚的回报。分析人士普遍认为，此次股息上调将在提升投资者信心的同时，可能对股市行情产生积极影响。

根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DD ...

存储市场近期喜忧掺半，据外媒和存储厂商最新消息，由于消费电子市场复苏不及预期，包括三星、SK海力士、铠侠开始酝酿减产以应对变化。具体减产措施上，三星、铠侠拟于2025年开始对NAND进行减产，预计依照市场况状进行分阶段减产。SK海力士则逐步降低DDR4传统DRAM生产比重，从而将有限产能转向人工智能用存储器及先进DRAM产品。

（全球TMT2024年11月22日讯）SK海力士(SK hynix Inc.)宣布，已开始量产全球首款容量为1Tb的基于三层单元的321层4D ...

2024年11月22日，爱思开海力士有限公司（SK hynix）在国家知识产权局获得了一项名为“存储器控制器及其操作方法”的专利。这项专利的授权公告号为CN111883198B，申请日期则追溯到2019年11月。这一重要里程碑标志着爱思开海力士在存储器技术领域的持续创新，可能在未来推动更高效的数据处理和存储管理。

（2024年11月22日讯）在全球半导体领域，SK海力士（SK hynix Inc.）的最新发布引发了广泛关注。近日，该公司宣布已开始量产全球首款321层NAND闪存，这一里程碑式产品以其1Tb的容量和优越的性能性能，即将为数据存储与处理带来革新。 自2023年6月SK海力士推出238层NAND闪存以来，业界对NAND闪存技术的进步充满期待。而此次321层NAND的发布，不仅使SK海力士成为世界上 ...

三星电子近期宣布将扩大其位于中国苏州的先进封装工厂产能，据行业消息，三星电子在第三季度签署了一份价值约200亿韩元（约合1.04亿元人民币）的设备采购合同，用于扩大苏州工厂的生产设施。 据 Business Korea报道，设备交易期间，负责全球制造和基础设施通用测试和封装（TP）中心的副总裁李政三（Lee Jung-sam）被任命为苏州工厂的负责人，该职位自去年以来一直空缺。去年年底。

SSD出货量逆势增长。 据业内人士称，SSD 的销售因规格升级而受到提振，而 DRAM 模组的销售则表现出疲软迹象。他们预测，到 2024 年，SSD 的销量将超过 DRAM 模组。

TrendForce(集邦)针对2025年科技产业发展提出展望，在笔电和伺服器的预测如下:一、AI笔电在2025年渗透率将达21.7%。二、2025年AI伺服器出货成长将逾28%，HBM 12hi量产良率提升速度成焦点。TrendForce分析，随技术迅 ...