在电子电路设计与应用中，三极管和MOS管是两种极为重要的半导体器件。它们各自具有独特的特性和应用场景，深入了解它们之间的区别对于正确地选择和使用这些器件至关重要。 一、结构与工作原理 （1）三极管 三极管是一种具有三个电极的半导体器件，包括基极（B） ...

碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点 ... 国家第三代半导体技术创新中心（南京）。图源：江宁发布。 在制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留 ...

的ON态和OFF态能带示意图。c垂直隧穿MoS 2-FeFET与先前报道的2D FET的开关比和开态电流密度的性能对比。 与铁电层本身作为隧穿层的传统铁电隧道结 ...

用于钳位FET的 V GS 的齐纳二极管也会带来寄生电容，不过功率FET的 C ISS 影响较大。 图1为带寄生效应的通用 PowerPath™控制器。 图1. 通用PowerPath控制器。 旋转电路后（见图2），其与Colpitts振荡器的相似性就非常明显了（见图3）。这是一个具有附加增益的谐振电路 ...

MOSFET的其他两个端子分别是源极和漏极。 栅极驱动：SiC导通 一般来说，SiC器件的导通过程可以分解为以下四个不同的时间状态，如下面图1所示： 时间状态 2 ： 栅极驱动器继续将栅极至源极电压（ V GS ）提升至米勒平台区。栅极驱动电流（ I G ）降低。漏极至源 ...