近期业界人士在午餐会议上谈到，AI芯片市场的竞争如同鱿鱼游戏，相当激烈，有时也很黑暗，但最终供应链的每个环节都会出现大赢家。

近日，SK hynix在其SK AISummit 2024活动上宣布，将率先推出HBM3e 16hi产品，这一创新将在高带宽内存（HBM）领域开启新的可能性。根据TrendForce集邦咨询的最新报告，HBM3e 16hi每颗芯片的容量高达48GB，预计将在2025年上半年提供样品。这一进展不仅意味着内存容量的提升，也为即将到来的下一代HBM技术铺平了道路。 HBM技术被广泛应用于云端服务提供商的 ...

2024年11月14日，SK hynix在SK AI Summit 2024活动上宣布了其最新研发的HBM3e 16hi高带宽内存产品。每颗HBM芯片的容量高达48GB，预计将于2025年上半年进行样品测试。这一举措不仅将推动高带宽内存技术的进步，还可能在HBM4世代量产前提前提升位元容量的上限。根据TrendForce集邦咨询的研究，HBM3e 16hi产品将主要应用于云服务提供商的自定义ASI ...

11 月 21 日消息，SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb（太比特，与 TB 太字节不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存。 据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%，并且数据读取能效也提高 10% 以上。 SK 海力士表示：“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NA ...

近日，SK hynix在其SK AISummit 2024活动上宣布，将率先推出HBM3e 16hi产品，这一创新将在高带宽内存（HBM）领域开启新的可能性。根据TrendForce集邦咨询的 ...

根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能 ...

三星电子近期宣布将扩大其位于中国苏州的先进封装工厂产能，据行业消息，三星电子在第三季度签署了一份价值约200亿韩元（约合1.04亿元人民币）的设备采购合同，用于扩大苏州工厂的生产设施。 据 Business Korea报道，设备交易期间，负责全球制造和基础设施通用测试和封装（TP）中心的副总裁李政三（Lee Jung-sam）被任命为苏州工厂的负责人，该职位自去年以来一直空缺。去年年底。

2024年11月22日，爱思开海力士有限公司（SK hynix）在国家知识产权局获得了一项名为“存储器控制器及其操作方法”的专利。这项专利的授权公告号为CN111883198B，申请日期则追溯到2019年11月。这一重要里程碑标志着爱思开海力士在存储器技术领域的持续创新，可能在未来推动更高效的数据处理和存储管理。

海力士（SK hynix）最新推出了一款名为P41的固态硬盘，于2023年10月份正式上市。该固态硬盘搭载了海力士自主研发的Arise主控和原厂生产的176层TLC NAND ...