每经AI快讯，11月27日，芯联集成在互动平台表示，受益于新能源车及消费市场的回暖，公司产能利用率逐步提升。公司SiC MOSFET、12英寸硅基晶圆等新产品在头部客户快速导入和量产，以SiC ...

东芝电子今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器 [1] 的裸片 [2] 1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。 当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作 [3] 期间双极通电 [4 ...

英飞凌科技工业与基础设施业务产品总监张明丹女士出席本次颁奖典礼。 62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块，优化了V GS(th) 、R DS(on) 漂移和栅极驱动电压范围等SiC MOS关键性能。 该产品V GS(th) 最大正负栅极源极电压分别扩展至+23V和-10V，同时增大了推荐栅极 ...

这项新技术的核心在于其独特的倾斜J-FET区域设计，能够显著提高SiC MOSFET的电流承载能力及开关速度。具体而言，这项专利所描述的SiC MOSFET在提高热效率的同时，有助于降低能耗，这对于电动汽车和可再生能源系统的应用至关重要。通过普及这样的高效器件 ...

2024年11月1日，南京芯干线科技有限公司（以下简称“芯干线”）向市场发布了其新获得的专利，专利名称为“具有倾斜J-FET区域的SiC MOS及制备方法”，授权公告号为CN118352397B。该专利的申请日期为2024年5月，标志着芯干线在半导体领域迈出了重要的一步。