的ON态和OFF态能带示意图。c垂直隧穿MoS 2-FeFET与先前报道的2D FET的开关比和开态电流密度的性能对比。 与铁电层本身作为隧穿层的传统铁电隧道结 ...

在电子电路设计与应用中，三极管和MOS管是两种极为重要的半导体器件。它们各自具有独特的特性和应用场景，深入了解它们之间的区别对于正确地选择和使用这些器件至关重要。 一、结构与工作原理 （1）三极管 三极管是一种具有三个电极的半导体器件，包括基极（B） ...

单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情况下不会失效，接下来先简单回顾一下什么是雪崩。 当MOSFET的漏极-源 ...

如需了解Littelfuse授权经销商名单，请访问 Littelfuse.com。 更多信息 有关新发布系列的更多信息，请访问 超级结X4-Class功率MOSFET产品页面。 关键字：Littelfuse 功率mos MOSFET 电池储能 电源设备引用地址：Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET ...

选取碳化硅型号需要注意， Ciss，Corss，Qg等参数 ，由于碳化硅的开关频率较高，所以这些参数 都会影响碳化硅的开关损耗 ，以及Ron决定着导通损耗，在使用驱动器时，我们还应该注意驱动电流，认真去计算，选取合适的Rg开通电阻以及关断电阻。

二维（2D）半导体因其原子级厚度和卓越的栅控性，在下一代纳米场效应晶体管（FET）中展现出巨大的潜力。然而，这些材料的电学性能往往受限于栅极介电材料的选择。理想的范德华介电体要求具备高的介电常数、大的带隙、与二维半导体匹配的能带边、以及较弱的界面散射 ...

碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点 ... 国家第三代半导体技术创新中心（南京）。图源：江宁发布。 在制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留 ...

TPD1054F 的典型应用是低边开关。该 IC 具有 MOSFET (D-MOS) 输出，可直接由 CMOS 或 TTL 逻辑电路（例如 MPU）驱动。 IC具有智能自我保护功能 ！注意：请使用浏览器自带下载，迅雷等下载软件可能无法下载到有效资源。 群聊设计，与管理员及时沟通 欢迎加入EEWorld参考 ...

随着技术的不断进步和成本的进一步降低，氮化镓有望在高压领域取代部分碳化硅器件，成为市场的新宠。即便如此，SiC器件在性能指标、工艺成熟度等方面目前较氮化镓而言确实具备更强的先发优势。

目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管)，是利用半导体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。由于它的栅极处于不导电状态，所以输入电阻可以大大提高，最高可达105欧姆，MOS管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少 ...