1位)、MLC(Muti Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元信息存储容量越 ...
具备了大容量存储和高耐用性的特点 * NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit),分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Muti Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。
NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit),分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Muti Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元信息存储容量越大,意味着单位面积 ...