IT之家 11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于明年 2 月 16 日~20 日在美国加州旧金山举行。包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS ...

IT之家 11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于 明年 2 月 16 日~20 日 在美国加州旧金山举行。 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS ...

未来，3D NAND技术将继续进行技术创新和优化，以提高存储密度、读写速度、功耗降低等方面的性能。例如三星存储已经公布了到2030年实现堆叠多达1000层的愿景。 可以看到，随着新的材料和结构的研究，将有望突破现有的技术瓶颈，实现更多的堆叠层数 ...

三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人瞩目的技术进展。据韩媒The Elec最新报道，这家科技巨头在光刻工艺上实现了重大革新，成功将光刻胶（PR）的使用量减半。 报道指出，在以往的3D ...

IT之家11 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发布博文，报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。 IT之家援引消息源报道，此前每层涂层需要 7-8cc 的光刻胶，而三星 ...

11 月 26 日消息，韩媒 The Elec 今天（11 月 26 日）发布博文，报道称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶 ...

【热点速读】1、三星电子3D NAND技术突破：光刻胶用量减半降成本2、消息称高通对英特尔的收购意向有所减退3、华泰电子：大环境仍存不确定性，明年资本支出预计趋缓4、惠普即将人事调整，供应链重心移回北美5、因英特尔投资延迟，消息称美国考虑削减5亿美元补贴1、三星电子3D ...

在数字化时代，数据存储是现代科技发展的基石。随着数据量的激增和存储需求的多样化，越来越多的企业投入到新型存储技术的研发中。近日，无锡舜铭存储科技有限公司宣布取得了一项名为“3D闪存存储器及其控制器结构”的专利（授权公告号CN113380807B），这一突破将为存储市场带来重要影响。

长江存储PC41Q是一款基于长江存储第四代3D NAND芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘，具有高性能、低功耗和更高能耗比的特点。这款SSD主要面向OEM市场，适用于笔记本电脑、超薄本、台式机和一体机等电脑终端。 单面PCB设计：PC41Q采用单面PCB设计，背面没有任何 ...

在科技迅猛发展的今天，存储器技术的进步与创新显得尤为重要。11月21日，SK海力士正式宣布开始量产全球最高规格的321层TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存，这一消息无疑在全球半导体行业引起了广泛关注。321层的突破不仅标志着技术的进步，也预示着存储领域可能到来的变革。本篇文章将详细分析这一技术革新的意义，以及它对消费电子、数据中心和云计算等多方面的潜在影响。 一、什么是 ...

据了解，此次传闻起源于供应链消息，称三星将从2024年底开始停止在现货市场销售MLC NAND，并预计于2025年6月正式停产。这一消息引发了业界对三星未来的产品线调整的好奇。 但三星明确表示这些传言并不准确。三星电子表示，虽然正在对产能进行调整，以更好地满足市场需求和推动技术发展，但并未计划停产MLC NAND。三星强调，将继续根据市场需求和技术进步，合理规划和调整产能，确保产品的持续供应。