由此NAND原厂纷纷转向3D NAND，以实现超过 2D NAND 结构的数据密度，并能够在更新一代的技术节点上制造。 具体来说，平面 NAND 由带有存储单元的水平 ...

IT之家 11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于 明年 2 月 16 日~20 日 在美国加州旧金山举行。 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS ...

韩媒TheElec报道，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产过程中曝光制程所使用的光阻剂（PR）。 消息人士指出，三星已经为未来NAND设置生产路线图，只使用比以前少一半的PR。过去每个涂层使用的PR为7-8cc，现在已减至4-4.5cc。

在数字化时代，数据存储是现代科技发展的基石。随着数据量的激增和存储需求的多样化，越来越多的企业投入到新型存储技术的研发中。近日，无锡舜铭存储科技有限公司宣布取得了一项名为“3D闪存存储器及其控制器结构”的专利（授权公告号CN113380807B），这一突破将为存储市场带来重要影响。

11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于 明年 2 月 16 日~20 日 在美国加州旧金山举行。 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS ...

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