由此NAND原厂纷纷转向3D NAND，以实现超过 2D NAND 结构的数据密度，并能够在更新一代的技术节点上制造。 具体来说，平面 NAND 由带有存储单元的水平 ...

2007 年，随着 2D NAND 的尺寸达到极限，东芝提出了 3D NAND 结构。 三星于 2013 年率先向市场推出了所谓的“ V-NAND ”。 3D 设计引入了多晶硅和二氧化硅 ...

IT之家 11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于明年 2 月 16 日~20 日在美国加州旧金山举行。 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS ...

IT之家 11 月 27 日消息，ISSCC 官网现已公布 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议的日程，该会议将于 明年 2 月 16 日~20 日 在美国加州旧金山举行。 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS ...

在数字化时代，数据存储是现代科技发展的基石。随着数据量的激增和存储需求的多样化，越来越多的企业投入到新型存储技术的研发中。近日，无锡舜铭存储科技有限公司宣布取得了一项名为“3D闪存存储器及其控制器结构”的专利（授权公告号CN113380807B），这一突破将为存储市场带来重要影响。

【热点速读】1、三星电子3D NAND技术突破：光刻胶用量减半降成本2、消息称高通对英特尔的收购意向有所减退3、华泰电子：大环境仍存不确定性，明年资本支出预计趋缓4、惠普即将人事调整，供应链重心移回北美5、因英特尔投资延迟，消息称美国考虑削减5亿美元补贴1、三星电子3D ...